在当今科技领域，氮化镓技术正快速崛起，成为美国国防部门关注的焦点。然而，一篇最新的研究指出，美国可能正在重复其过去在硅芯片技术上犯下的错误。
有如此巨大的潜力和前景的氮化镓技术，正如同年前被忽视的硅芯片技术一样，却可能因为过分依赖进口而成为一个国家安全的漏洞。正如研究指出，美国过去曾在硅芯片技术上过度依赖进口，结果现在发现自己陷入了同样的困境。
氮化镓技术具有高功率密度、高频率和高效率的特点，对于国防部门而言尤为重要。然而，美国在这一领域的自主研发能力仍然不足，大部分氮化镓相关产品依然依赖进口。
为避免未来的风险和漏洞，美国需加大对氮化镓技术的自主研发，并确保国内产业链的完整和安全。只有这样，才能避免重复硅芯片技术时的错误，确保国家国防和技术安全的坚固基石。
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