麻省理工学院和哈佛大学的科学家们近日发现了一项有趣的物理现象：在铊砷和铝材料中，通过拓扑间隙协议，可以实现“边界态”电子的传输。
这个发现对于电子器件的制造和应用有着重要的意义。由于在这个材料系统中，电子可以在边界上自由传输，并且能够防止材料中的杂质散射，因此这个系统被视为构建新型电子设备的有力工具。
在这项研究中，科学家们利用了InAs-Al混合器件。他们发现，通过在材料中产生局域电场，可以实现材料中电子的定向移动，并且避免材料中的电子相互干扰。
这一发现在基础物理研究和技术应用方面都具有重要意义。通过这种方式，科学家们可以优化电子器件的效率和稳定性，并为电子技术的发展提供了全新的方向。
这项研究成果已经发表在了“物理评论B”期刊上。未来，科学家们将进一步深入研究这个系统，并开发出更加先进的电子器件。
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