！独家专访：英特尔详述PowerVia芯片制造技术，背面供电表现良好！
自从英特尔（Intel）在2020年宣布了其PowerVia技术的计划以来，人们就一直在关注其实现的情况。近日，AnandTech独家专访了英特尔的高管，详述了PowerVia芯片制造技术的进展情况。
PowerVia是一种新的芯片制造技术，它使用背面供电，在一定程度上可以解决芯片电路面积过小、能耗过高的问题，让芯片性能更加出色。根据英特尔的计划，他们预计在2024年推出基于PowerVia技术的芯片产品。
首先，英特尔高管介绍了PowerVia技术的制造过程：在硅基板上形成电子元器件后，采用蚀刻技术将背面挖空，然后在空腔中填充金属并进行阳极氧化处理。这一过程可以形成背面电源网络，使电力能够在芯片的背面流动。
该工艺不仅仅考虑了芯片性能，还考虑了制造成本。在与其他背部供电技术相比较时，Engadget指出PowerVia可以在单晶硅基底板上实现背部造电，而无需使用复杂的硅外衬。
此外，PowerVia技术还可以使芯片设计更加灵活，有助于提高自主设计能力。例如，省去电源和地线的设计，整个布局进一步变得简单，且所需占用的空间更小。
关于PowerVia的实际表现，在英特尔的实验中，背面供电的方案可以在减少电源线路长度的情况下，达到显著的电压下降。当芯片面积增加时，不仅可以减少电源线路数量，还可以提高功率效率。
虽然PowerVia技术尚未向公众展示，但英特尔高管透露，他们基于PowerVia技术开发的实际芯片已经在实验室中得到了验证。
最后，英特尔的高管表示，他们将在不久的将来推出基于PowerVia技术的新一代芯片产品。他们相信，这项技术将进一步提高芯片的性能和生产效率，推动整个行业的发展。
总之，英特尔的PowerVia技术令人期待。这项技术的问世，将给制造业带来一些重大的变革，为新一代芯片的发展提供全方位的支持。敬请期待。
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