IBM 公司宣布，知名科技专家、IBM 研究院院士罗伯特·H·德纳德于2024年辞世，享年92岁。罗伯特教授不仅是动态随机存储器(DRAM)的发明者，更是制定金属氧化物半导体(MOS)尺寸规律的先驱者。
罗伯特·德纳德在科技领域探索的足迹遍布全球，开创先河的成就令人瞩目。他的贡献不仅在于发明了DRAM，使得计算机存储器速度得以大幅提升，更在于他提出了著名的 MOS 尺寸规律，为半导体行业带来了革命性的变革。
作为 IBM 研究院院士，罗伯特·德纳德一直致力于推动科技创新，领导团队开发出多项引领行业发展的技术。他的离世让科技界悲痛不已，但他留下的伟大成就将永远激励着后人。
罗伯特·德纳德不仅是一位杰出的科学家，更是一位敬业奉献的技术先驱。他的影响力将长久地存在于科技界，激励着更多的科技人才不断探索创新，推动科技发展迈向更加美好的未来。愿罗伯特·德纳德教授安息。
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